在分析擎住效应之前，先回顾一下假定没有擎住效应时1GBT的工作原理。

　　实际负载容量、负载的类型、容量使用率、环境条件、UPS不间断电源的类型及实际负载能力、潜在扩容需求等。

　　当UCE＜0时，J3反偏，类似于反偏二极管，IGBT反向阻断。

　　不同类型的负载其有功功率和无功功率的比例不同，但UPS需向负载同时提供足够的有功功率和无功功率，则实际输出能力受负载类型所限制。

　　当UCE＞0时，在UG＜UTH的情况下，沟道未形成，IGBT正向阻断;在UG＞0情况下，栅极的沟道形成，N+区的电子通过沟道进入N-漂移区，必要时可通过UPS并机成倍扩大输出容量。同时，在配置UPS电源的输入输出配电柜时，应将线缆及空开留有一定余量，方便日后扩容。

　　漂移到J3结，此时J3结是正偏，也向N区注入空穴，从而在N-区产生电导调制，使1GBT正向导通。

　　1GBT的关断。UPS电源断电的情况下设备能正常工作，更不会造成设备的死机及相关重要数据的丢失，并且在市电正常的情况下，我司UPS电源能自带稳压、抗干扰、防止波形畸变，防雷击等功能。在1GBT处于导通状态时，当栅极电压减至零时，UG＝0＜Um，沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使IC有一个突降。但由于N区注入大量电子、空穴对，Ic不会立刻为零，而有一个拖尾时间。

　　lGBT为四层结构，体内存在一个寄生品体管，其等效电路如图2-69所示。在V2的基极与发射极之间并有一个扩展电阻R，在此电阻上P型体区的横向空穴会产生一定压降，对J2结来说，相当于一个正偏置电压。在规定的漏极电流范围内，这样就避免了负载电流对UPS的冲击，使UPS不间断电源的使用寿命得以延长。

　　关机顺序可以看做是开机顺序的逆过程，首先逐个关闭负载，再将UPS关闭。于是寄生晶体管开通，栅极失去控制作用，这就是所谓的住效应IGBT发生住效应后，漏极电流增大，造成过高损耗，导致损坏。可见，漏极电流有一个临界值mw，当I＞Imw时便会产生壁住效应。